Search Results (Keywords:"Electrónica", Date:" [2004\-01\-01T00\:00\:00Z TO 2004\-12\-31T00\:00\:00Z] ", Author:"FernandoYevesGutierrez", isMemberOf:"oaingeec:ing-elec-col-02721ff70b004")

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Simulación Problema P8.7 (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 368 79
Enunciados correspondientes a la práctica 3 (Requiere Plataforma Adobe Reader 5.0 ó superior)  4.78 693 7520
Característica de salida de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 707 157
Amplificador en emisor común (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 783 130
Comparador en lazo abierto con el LM311 (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 1007 149
Condensador ideal alimentado con una fuente de tensión alterna. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 638 135
Amplificador ideal inversor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 790 175
Enunciados correspondientes a la práctica 5 (Requiere Plataforma Adobe Reader 5.0 ó superior)  4.78 712 1627
Amplificador real. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 674 153
El BJT como interruptor (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 841 150
Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 502 98
Transistor pJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 496 102
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 805 187
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 594 108
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 510 90
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 620 106
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 541 109
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 460 98
Transistor nJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 475 94
Diodo Zener. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 697 136
Enunciados correspondientes a la práctica 4 (Requiere Plataforma Adobe Reader 5.0 ó superior)  4.78 659 1580
Enunciados correspondientes a la práctica 8 (Requiere Plataforma Adobe Reader 5.0 ó superior)  4.78 593 1549
Circuito RC en serie (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 682 137
Enunciados correspondientes a la práctica 10 (Requiere Plataforma Adobe Reader 5.0 ó superior)  4.78 600 1037
Comparador en lazo abierto (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 718 137
Amplificador real. Variación de la impedancia de entrada y salida. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 780 130
Cuadripolo pasivo (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 698 132
Equivalente en alterna en pequeña señal del transistor BJT. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 649 111
Enunciados correspondientes a la práctica 1 (Requiere Plataforma Adobe Reader 5.0 ó superior)  4.78 674 278
Amplificador inversor (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 766 149
Tensión offset del amplificador real. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 688 105
Amplificador ideal de transconductancia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 832 153
Diodo. Variación de los parámetros de dipolo. Variación de la tensión. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 697 126
Tablas de resultados a rellenar correspondientes a la práctica 5 (Requiere Plataforma Microsoft Word 97 ó superior)  4.78 517 107
Tablas de resultados a rellenar correspondientes a la práctica 6 (Requiere Plataforma Microsoft Word 97 ó superior)  4.78 414 111
Interruptor controlado por tensión (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 539 101
Tablas de resultados a rellenar correspondientes a la práctica 7 (Requiere Plataforma Microsoft Word 97 ó superior)  4.78 453 126
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 476 91
Amplificador ideal de transresistencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 989 154
Diodo ideal. Modelo SPICE. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 1046 173
Tablas de resultados a rellenar correspondientes a la práctica 9 (Requiere Plataforma Microsoft Word 97 ó superior)  4.78 1000 334
Transistor bipolar. Modelo de pequeña señal en alta frecuencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 730 114
Transistor FET. Modelo de pequeña señal en alta frecuencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 1237 128
Multivibrador astable (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 445 93
Característica de entrada de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 631 123
Amplificador operacional ideal con realimentación negativa. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 970 172
Amplificador ideal de tensión. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 745 148
Condensador ideal. Carga con una fuente de tensión contínua. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 684 122
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta inverso. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 382 86
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.78 386 80

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